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IRF530S, SiHF530S
Vishay Siliconix
L
Vary t p to obtain
required I AS
V DS
t p
V DS
V DD
R g
D.U.T
I AS
+
-
V DD
V DS
10 V
t p
0.01 Ω
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
200
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
I D
160
Top
5.7 A
9.9 A
Bottom 14 A
120
80
40
0
V DD = 25 V
25
50
75
100
125
150
175
91020_12c
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Current regulator
Same type as D.U.T.
V GS
Q G
12 V
0.2 μF
50 k Ω
0.3 μF
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
-
V DS
V G
Charge
V GS
3 mA
I G
I D
Current sampling resistors
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
www.vishay.com
6
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
Document Number: 91020
S11-1046-Rev. C, 30-May-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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